基于自研太赫兹CMOS发射、接收及探测芯片，工作频率布局广泛，从120GHz到接近500GHz，达到全球商用硅基芯片，比传统太赫兹芯片性价比大幅提高，突破了太赫兹技术向民用和工业领域应用成本瓶颈，契合需控制成本和高集成度的商业化需求，具备价格和技术自主可控的竞争优势。

基于自研的太赫兹CMOS芯片

太赫兹源是指能够产生太赫兹频段（0.1—10THz）电磁波的设备，主要有以下几种类型：

激光太赫兹源：利用非线性晶体、气体等离子体等机制产生，具有大带宽的优势。

在固态电路技术中，传统基于GaAs或InP化合物半导体工艺的太赫兹芯片具有出色的性能，但集成度、良率、产能、成本都是制约瓶颈。而太景科技所掌握的基于CMOS半导体工艺的太赫兹发射和接收系统芯片，具有高良率、高集成度、可量产的优势，解决了传统技术路线的关键瓶颈，非常适合于近距离感知的民用和工业场景。

光子学技术： 如量子级联激光器和自由电子激光器，输出功率较大，具有良好的应用潜力。

电子学技术： 包括返波管、耿氏振荡器等，最新的技术开始采用固态电路实现，通常工作在 1THz以下，输出功率在数十微瓦到毫瓦量级。

裸片

封装芯片

传感器模组

检测仪器

频率

10 THz

1 THz

0.1 THz

2000

2005

2025       年

2010

2015

2020

光电太赫兹源（成本高，体积大）

辐射热测量、热点测量探测器（成本高，产能小）

Ⅲ/V族太赫兹源+探测器

（成本高，集成低，良率差）

硅基

太赫兹芯片

（商用，高性价比）

环境感知和工业产线高速检测

（太景首创）

太景技术

科研、航天

工业抽检

1—4 mm

5—10 mm

50—200 mm

200—300 mm